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J-GLOBAL ID：200902255311508245   整理番号：05A0213616

ラジカル窒化酸化膜におけるNプロファイル制御

Control of Nitrogen depth profile in radical nitrided silicon oxide film.

著者 (9件)： 河瀬和雅 (三菱電機) ,  梅田浩司 (ルネサステクノロジ) ,  井上真雄 (ルネサステクノロジ) ,  辻川真平 (ルネサステクノロジ) ,  赤松泰彦 (ルネサステクノロジ) ,  諏訪智之 (東北大) ,  樋口正顕 (東北大) ,  小村政則 (東北大) ,  寺本章伸 (東北大)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 67th  ページ： 72-75  発行年： 2004年12月09日 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 45nm MOSデバイスでは,厚さ1.5nm以下の高信頼シリ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  絶縁材料  (NA04030W) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ラジカル窒化 ,  酸化膜 ,  プロファイル