AlGaN/GaNヘテロ構造FETにおける電流崩壊及びゲート漏洩電流の機構

HASEGAWA H; INAGAKI T; OOTOMO S; HASHIZUME T

文献

J-GLOBAL ID：200902255882969916 整理番号：03A0612155

AlGaN/GaNヘテロ構造FETにおける電流崩壊及びゲート漏洩電流の機構

Mechanisms of current collapse and gate leakage currents in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors

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資料名：
巻： 21 号： 4 ページ： 1844-1855 発行年： 2003年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

AlGaN/GaNヘテロ構造FET(HFET)における電流崩...

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トランジスタ

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