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J-GLOBAL ID：200902256744714083   整理番号：05A0391918

グレースケールリソグラフィーと深い反応性イオンエッチングを用いた三次元シリコンMEMS構造体の微細加工

Microfabrication of 3D silicon MEMS structures using gray-scale lithography and deep reactive ion etching

著者 (4件)： WAITS C. M. (Univ. Maryland, MD, USA) ,  MORGAN B. (Univ. Maryland, MD, USA) ,  KASTANTIN M. (Univ. Maryland, MD, USA) ,  GHODSSI R. (Univ. Maryland, MD, USA)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： A119  号： 1  ページ： 245-253  発行年： 2005年03月28日 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グレースケールリソグラフィーと乾式異方性エッチング技術を用い...

シソーラス用語： グレースケール ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性イオンエッチング ,  シリコン ,  MEMS ,  構造体 ,  微細加工