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J-GLOBAL ID：200902256758719037   整理番号：08A1104156

Mn_xPナノワイアーの自己組織化成長とキャラクタリゼイション

Self-Assembled Growth and Characterization of Mn_xP Nanowires

著者 (6件)： SATO Katsuaki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  SATO Katsuaki (Japan Sci. and Technol. Agency, Tokyo, JPN) ,  BOURAVLEUV Alexei (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  BOURAVLEUV Alexei (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  KOUKITU Akinori (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  ISHIBASHI Takayuki (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 10 Issue 2  ページ： 8214-8217  発行年： 2008年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準備的な蒸着金属触媒無しで,MnPナノワイアをInP(100)及びGaAs(111)_B基板上に分子ビームエピタキシー(MBE)によって成長させた。Mnは従来型のクヌッセンセルを用いて供給し,P₂は分解セルを用いた第3ブチルフォスフィン(TBP)の分解によってガスとして供給した。基板温度が430°Cを越えると,ナノワイアの自己組織化成長が観察された。InP(100)表面上に作製したナノワイアは,150nmに近い直径と2μmまでの長さを持つ。一方,GaAs(111)_B表面上に成長させたナノワイアは600nmまでの幅,30μmまでの長さ,並びに明瞭な原子面を持つ。磁気的並びに光学的評価も実施した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  自己組織化 ,  キャラクタリゼーション ,  蒸着 ,  金属触媒 ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  MBE成長 ,  粒子源 ,  分解 ,  基板温度 ,  直径 ,  長さ ,  幅 ,  磁気的性質 ,  光学的性質 ,  *マンガン化合物 ,  *リン化物

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

物質索引 (1件)： tert-ブチルホスフィン

引用文献 (18件)：

• W. Lu and C. M. Lieber: J. Phys. D 39(2006) R387.
• H. J. Fan, P. Werner, and M. Zacharias: Small 2(2006)700.
• R. S. Wagner: Whisker Technology (Wiley, New York, 1970).
• K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, and M. Koguchi: J. Appl. Phys.77(1995)447.
• C. J. Novotny and P. K. L. Yu: Appl. Phys. Lett.87(2005)203111.

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノワイアー ,  自己組織化 ,  成長 ,  キャラクタリゼイション