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J-GLOBAL ID：200902257326411739   整理番号：06A0921127

半導体表面からの励起電子誘起脱離(I)ハロゲン吸着シリコンへの電子・正孔注入の場合

Desorption Induced by Excited Electrons from Semiconductor Surfaces (I)-Desorption Induced by Electron-/hole-injection into Halogen-adsorbed Silicon Surfaces-

著者 (2件)： 首藤健一 (横浜国大) ,  田中正俊 (横浜国大)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 49  号： 10  ページ： 600-604  発行年： 2006年10月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体加工の主役であるシリコンの真空中プロセスにおいては,ハ...

シソーラス用語： *半導体プロセス ,...
準シソーラス用語： ESD【脱着】

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

引用文献 (41件)：

• NARUSHIMA, T. J. Phys. : Condens. Matter. 2004, 16, L193-L200
• OHNO, S. J. Vac. Sci. Technol., A. 2005, A23, 475-479
• EVES, B. J. Surf. Sci. 2005, 579, L89-L96
• LOPINSKI, G. P. Phys. Rev., B. 2005, B71, 125308
• CHANG, J. P. Proc. 6th Int. Symp. 'Cleaning Technology in Semiconductor Device Manufacturing IV', 2000. 2000, 129-136

タイトルに関連する用語 (8件)： 半導体表面 ,  励起 ,  電子誘起脱離 ,  ハロゲン ,  吸着 ,  シリコン ,  電子 ,  正孔注入