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J-GLOBAL ID：200902257735235705   整理番号：07A0678484

高性能ZnO/ZnMgOヘテロ-MISFETの改良安定性

Improved Stability of High-Performance ZnO/ZnMgO Hetero-MISFETs

著者 (6件)： SASA Shigehiko (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  HAYAFUJI Takeo (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  KAWASAKI Motoki (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  KOIKE Kazuto (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  YANO Mitsuaki (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  INOUE Masataka (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 28  号： 7  ページ： 543-545  発行年： 2007年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOは新しいワイドバンドギャップ半導体ファミリの基礎材料と...

シソーラス用語： *MISFET ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

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分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  ZnO ,  テロ ,  MISFET ,  安定性