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J-GLOBAL ID：200902257783475840   整理番号：09A0205049

光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル:励起エネルギー依存性

著者 (6件)： 市田秀樹 (大阪大 先端科学イノベーションセ) ,  若生周治 (大阪市大 大学院工学研究科) ,  溝口幸司 (大阪市大 大学院工学研究科) ,  KIM D. (大阪市大 大学院工学研究科) ,  兼松泰男 (大阪大 先端科学イノベーションセ) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院工学研究科)
資料名： 光物性研究会論文集  (Proceedings of the Symposium of Association for Condensed Matter Photophysics, Japan)
巻： 17th  ページ： 365-368  発行年： 2006年 
JST資料番号： L3956A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： rfマグネトロンスパッタ法で成膜したZnO薄膜の時間分解発光スペクトルを光カーゲート法で測定した。Ti:サファイアレーザの775nm,200fsパスルを二分割し,一方をゲート光,他方は光パラメトリック増幅器で波長変換し,その第四高調波を励起光とした。3.54~3.88eVの励起エネルギーではA励起子エネルギーより低エネルギーの励起子-励起子散乱発光(Pバンド)が主たる発光バンドであり,励起エネルギーが増加すると,Pバンドのピークエネルギーの変化が少なくなり,立上り時間の遅れが増加し,減衰時間も長くなった。このようなPバンドの励起エネルギー依存性を励起子エネルギーの緩和過程と分布を考慮して議論した。

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  *発光スペクトル ,  光ポンピング ,  エネルギー依存性 ,  Kerr効果 ,  時間分解分光法 ,  ゲート回路 ,  光高調波 ,  励起子 ,  緩和時間 ,  バンド構造 ,  *ワイドギャップ半導体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  ZnO薄膜 ,  分解 ,  発光スペクトル ,  励起 ,  エネルギー依存性