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J-GLOBAL ID：200902257807314397   整理番号：09A0277469

SOI論理セルにおけるシングルイベント過渡パルス幅のLET依存性

LET Dependence of Single Event Transient Pulse-Widths in SOI Logic Cell

著者 (16件)： MAKINO Takahiro (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI Daisuke (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  HIROSE Kazuyuki (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  YANAGAWA Yoshimitsu (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  SAITO Hirobumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IKEDA Hirokazu (Graduate Univ. Advanced Studies, Kanagawa, JPN) ,  IKEDA Hirokazu (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  TAKAHASHI Daisuke (Mitsubishi Heavy Ind. Ltd., Aichi, JPN) ,  ISHII Shigeru (Mitsubishi Heavy Ind. Ltd., Aichi, JPN) ,  KUSANO Masaki (Mitsubishi Heavy Ind. Ltd., Aichi, JPN) ,  ONODA Shinobu (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  HIRAO Toshio (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN) ,  OHSHIMA Takeshi (Japan Atomic Energy Agency, Gunma, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 56  号： 1,Pt.2  ページ： 202-207  発行年： 2009年02月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルイベント過渡電流(SET)は論理VLSI(大規模集積回路)のソフト誤り応答を支配する。SETパルス幅は入射イオンの線エネルギー付与(LET)と共に増加する。24個のインバータセル鎖を高崎イオン加速器施設TIARAのAVFサイクロトロンからのKr(322MeV)あるいはXe(454MeV)イオンで照射し,パルス捕獲回路(エクスパンダと自己トリガフリップフロップFF)を使って,LETの関数としてSETパルス幅を測定した。SETパルス幅への再結合の効果を考慮した3D計算機シミュレーションも行ない,実験結果を良く再現し,キャリア再結合過程がパルス幅のLET依存性を支配していることが分かった。

シソーラス用語： *SEU【シングルイベント】 ,  線エネルギー付与 ,  *SOI構造 ,  論理回路 ,  論理素子 ,  パルス幅 ,  重イオン照射 ,  100-1000MeV ,  符号変換器 ,  NMOS構造 ,  照射損傷 ,  超LSI ,  *ソフトエラー ,  キャリア再結合
準シソーラス用語： *SET ,  VLSI ,  *過渡電流

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  論理セル ,  イベント ,  パルス幅 ,  LET ,  依存性