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J-GLOBAL ID：200902257878337754   整理番号：09A0458620

真空中熱分解によるSiC膜からの多層グラフェン

Multilayered Graphene from SiC Films via Pyrolysis in Vacuum

著者 (4件)： OGAWA Yasuhiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  NAKAMURA Atsusi (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TANAKA Akira (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TEMMYO Jiro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 4,Issue 2  ページ： 04C140.1-04C140.5  発行年： 2009年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 真空中熱分解によるSiC膜からの多層グラフェン形成を示した。ここで,マイクロ3Cと非晶質結晶構造を持つSiC膜は,水素ラジカル増強化学蒸着によって成長した。D,G,2Dバンドから構成されるRamanスペクトルは,1250~1600°C範囲の基板温度と継続時間を制御することによって形成した多層グラフェンを示した。Gバンドに対するDバンドのピーク強度比とGバンドの半値全幅の両方が主に,真空中の熱分解温度と継続時間,および使用するSiC膜の結晶度によって支配されるような多層グラフェンの基準パラメータを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 真空 ,  *熱分解 ,  *炭化ケイ素 ,  *薄膜 ,  多層 ,  *グラファイト ,  非晶質 ,  結晶構造 ,  水素 ,  ラジカル ,  化学蒸着 ,  Ramanスペクトル ,  基板温度 ,  継続時間 ,  FWHM ,  結晶度 ,  標準 ,  パラメータ ,  *グラフェン

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  分解反応  (CF02080P)

引用文献 (14件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morzov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubons, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov: Science 306(2004)666.
• C. Berger, Z. Song, X. Li, X. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayou, T. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, and W. A. de Heer: Science 312(2006)1191.
• A. J. van Bommel, J. E. Crombeen, and A. van Tooren: Surf. Sci.48(1975)463.
• M. Kusunoki, T. Suzuki, T. Hirayama, and N. Shibata: Appl. Phys. Lett.77(2000)531.
• T. Nagano, Y. Ishikawa, and N. Shibata: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)1717.

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱分解 ,  SiC ,  多層グラフェン