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J-GLOBAL ID：200902273683421772   整理番号：03A0344561

SiC膜の表面分解による大きい自立したカーボンナノチューブ膜上の絶縁体上けい素基板の作製

Preparation of Silicon-on-Insulator Substrate on Large Free-Standing Carbon Nanotube Film Formation by Surface Decomposition of SiC Film.

著者 (3件)： NAGANO T (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Y (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SHIBATA N (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42  号： 4A  ページ： 1717-1721  発行年： 2003年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上けい素(SOI)基板上にエピタキシャル成長させた3C...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (15件)：

• 1) S. Iijima: Nature 354 (1991) 56.
• 2) A. Thess, R. Lee, P. Nikolaev, H. Dai, P. Petit, J. Robert, C. Xu, Y. H. Lee, S. G. Kim, A. G. Rinzler, D. T. Colbert, G. E. Scuseria, D. Tomanek, J. E. Fischer and R. E. Smally: Science 273 (1996) 483.
• 3) W. Z. Li, S. S. Xie, L. X. Qian, B. H. Chang, B. S. Zou, W. Y. Zhou, R. A. Zhao and G. Wang: Science 274 (1996) 1701.
• 4) M. Kusunoki, M. Rokkaku and T. Suzuki: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 2620.
• 5) M. Kusunoki, T. Suzuki, K. Kaneko and M. Ito: Phil. Mag. Lett. 79 (1999) 153.

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  分解 ,  自立 ,  カーボンナノチューブ ,  絶縁体 ,  けい素基板 ,  作製