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J-GLOBAL ID：200902258031053705   整理番号：03A0416286

SiGe技術の最新研究動向

The latest research trend of the SiGe technology.
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著者 (3件)：
財満鎮明

財満鎮明 について

(名古屋大 先端技術共同研セ)

名古屋大 先端技術共同研セ について

, 
桜庭政夫

桜庭政夫 について

(東北大 電通研)

東北大 電通研 について

, 
室田淳一

室田淳一 について

(東北大 電通研)

東北大 電通研 について


資料名：
電子材料  (Electronic Parts and Materials)

電子材料 について


巻： 42  号： 6  ページ： 97-103  発行年： 2003年06月01日 
JST資料番号： F0040A  ISSN： 0387-0774  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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スケーリングによるSiデバイスの高性能化がその物理的限界に近...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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スケーリング【計数】

スケーリング【計数】 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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SiGe

SiGe について

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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

,  トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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SiGe

SiGe について

, 
研究

研究 について

, 
動向

動向 について


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