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J-GLOBAL ID：200902258220199125   整理番号：08A0309607

非強誘電性CaCu₃Ti₄O₁₂における巨大誘電応答の起源: 原子間力顕微鏡により精査した不均一伝導特性

Origin of Giant Dielectric Response in Nonferroelectric CaCu₃Ti₄O₁₂: Inhomogeneous Conduction Nature Probed by Atomic Force Microscopy

著者 (7件)： FU Desheng (JST-ERATO, Tokyo, JPN) ,  FU Desheng (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TANIGUCHI Hiroki (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TANIYAMA Tomoyasu (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ITOH Mitsuru (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOSHIHARA Shin-ya (JST-ERATO, Tokyo, JPN) ,  KOSHIHARA Shin-ya (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 20  号： 5  ページ： 1694-1698  発行年： 2008年03月11日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CaCO₃,CuO,およびTiO₂から固相反応によりCaCu₃Ti₄O₁₂(CCTO)を合成し,圧縮成形と酸素中1323Kでの焼成により密なセラミックロッドを作製した。原子間力顕微鏡を用いた局所電流探測によりCCTOにおける伝導経路を曖昧さなしに同定した。多結晶CCTOの粒界は半導体性であるのに対して,粒内は半導体および絶縁体領域の混合体であった。巨大誘電応答は結晶内の不均一伝導に起因し,低温における誘電率の大きな低下は自由キャリアの凍結によると結論した。CCTOの電気特性制御には粒界よりも粒内の欠陥密度を制御することが有効なことを示した。CCTOはキャパシタよりもセンサに適した材料であることが分かった。

シソーラス用語： カルシウム化合物 ,  銅化合物 ,  チタン化合物 ,  酸化物 ,  *誘電体 ,  *誘電性 ,  結晶粒界 ,  *混合伝導 ,  欠陥密度 ,  絶縁材料 ,  半導体 ,  絶縁体

分類 (2件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強誘電性 ,  誘電応答 ,  起源 ,  原子間力顕微鏡 ,  不均一 ,  伝導