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J-GLOBAL ID：200902258555020430   整理番号：05A0969189

III族窒化物のUVデバイス

III-Nitride UV Devices

著者 (5件)： KHAN M. Asif (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  SHATALOV M. (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  MARUSKA H. P. (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  WANG H. M. (Univ. South Carolina, SC, USA) ,  KUOKSTIS E. (Univ. South Carolina, SC, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 10  ページ： 7191-7206  発行年： 2005年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 効率的で堅牢な固体UV光源とセンサのニーズがIII族窒化物物...

シソーラス用語： *化合物半導体 ,...

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分類 (3件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  光源  (BD07020D)

引用文献 (219件)：

• 1) Compound Semiconductor, March 2005, p. 12.
• 2) J. P. Zhang: unpublished.
• 3) M. Bockowski, I. Grzegory, S. Krukowski, B. Lucznik, M. Wróblewski, G. Kamler, J. Borysiuk, P. Kwiatkowski, K. Jasik and S. Powrowski: J. Cryst. Growth 270 (2004) 409.
• 4) W. Zhang and B. K. Meyer: Phys. Status Solidi C 0 (2003) 1571.
• 5) J. C. Rojo, G. A. Slack, K. Morgan, B. Raghothamacher, M. Dudley and L. J. Schowalter: J. Cryst. Growth 231 (2001) 317.

タイトルに関連する用語 (2件)： III族 ,  窒化物