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J-GLOBAL ID：200902259136386544   整理番号：03A0506855

pとn層を多重スタックしたSiC横型超接合ダイオードの作製

Fabrication of SiC Lateral Super Junction Diodes With Multiple Stacking p- and n-Layers

著者 (5件)： MIURA M (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NAKAMURA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA J (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 24  号： 5  ページ： 321-323  発行年： 2003年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚みの薄い高濃度ドープp-n接合を多重化し超接合(SJ)構造...

シソーラス用語： *ダイオード ,...
準シソーラス用語： 超接合

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多重 ,  スタック ,  SiC ,  横型 ,  接合ダイオード ,  作製