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J-GLOBAL ID：200902259317869555   整理番号：09A0822168

SbドープSnO₂ナノワイヤの輸送特性に対するドーピング動力学の重要な役割

Crucial role of doping dynamics on transport properties of Sb-doped SnO₂ nanowires

著者 (7件)： KLAMCHUEN Annop (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  YANAGIDA Takeshi (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  NAGASHIMA Kazuki (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  SEKI Shu (PRESTO, Japan Sci. and Technol. Agency, 4-1-8 Honcho, Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN) ,  OKA Keisuke (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  TANIGUCHI Masateru (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  KAWAI Tomoji (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihogaoka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 5  ページ： 053105  発行年： 2009年08月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸気-液体-固体(VLS)機構により成長した半導体ナノワイヤへの不純物ドーピングは重要な挑戦課題である。ここでは我々はSbドープSnO₂ナノワイヤの輸送特性を制御するドーピング動力学の重要性を実証する。SbドーピングによってSnO₂ナノワイヤの抵抗率は最低10^-3Ωcmまで低下し,さらに供給源からドーパント濃度を増やしても,抵抗率には下限が存在した。ドーピング限界は,VLS過程ではなく蒸気-固体成長過程を通したドーパントの再蒸発事象と関係することを見いだした。このように,ドーパント取り込み動力学を理解することが,不純物ドーピングによるSnO₂の輸送特性を制御する上で重要になる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  アンチモン ,  *ドーピング ,  ナノワイヤ ,  VLS成長 ,  *電気抵抗率 ,  下限 ,  蒸発 ,  量子効率
準シソーラス用語： 外部量子効率

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (7件)： Sb ,  ドープ ,  ナノワイヤ ,  輸送特性 ,  ドーピング ,  動力学 ,  役割