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J-GLOBAL ID：200902259403166788   整理番号：09A1035359

(Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃厚膜で歪ヘテロ構造により生じた容量-電圧曲線のヒステリシス挙動

Hysteresis Behavior of Capacitance-Voltage Curve in (Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃ Thick Films Caused by Strained Heterostructure

著者 (5件)： KAWAE Takeshi (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  FUKUDA Yuji (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  MORITO Kentaro (Taiyo Yuden Co., Ltd., Gunma, JPN) ,  MUNEMOTO Kenshiro (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  MORIMOTO Akiharu (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 9,Issue 2  ページ： 09KA12.1-09KA12.4  発行年： 2009年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着によりSrTiO₃(STO),0.5wt%NbドープSTO及び(La_0.5Sr_0.5)CoO₃コートSTO基板上に300~1700nm厚みの(Ba_0.6Sr_0.4)TiO₃(BST)膜を堆積させた。X線回折解析の結果,堆積したBST厚膜は基板上にエピタキシャル成長をして,BSTのc格子定数は膜の応力によりバルク材料の場合に比較して増加していることが分かった。作成した薄膜キャパシタは室温で容量-電圧曲線にヒステリシス曲線を示した。ヒステリシス幅はBSTのc軸格子定数の増加に従い直線的に増加した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *バリウム化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *チタン酸塩 ,  置換型固溶体 ,  エピタクシー ,  *厚膜 ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  ドーピング ,  ニオブ ,  電極材料 ,  ランタン化合物 ,  コバルト酸塩 ,  膜応力 ,  格子定数 ,  容量電圧特性 ,  ヒステリシス

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (10件)：

• C. S. Hwang, S. O. Park, H. J. Cho, C. S. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee: Appl. Phys. Lett.67(1995)2819.
• S. W. Kirchoefer, E. J. Cukauskas, N. S. Barker, H. S. Newman, and W. Chang: Appl. Phys. Lett.80(2002)1255.
• M. Noda, S. Watanabe, K. Seki, T. Kanashima, and M. Okuyama: Jpn. J. Appl. Phys.47(2008)7500.
• K. Iijima, T. Terashima, Y. Bando, K. Kamigaki, and H. Terauchi: J. Appl. Phys.72(1992)2840.
• Z. Wang, T. Yasuda, S. Hatatani, and S. Oda: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999)6817.

タイトルに関連する用語 (6件)： 厚膜 ,  歪 ,  ヘテロ構造 ,  曲線 ,  ヒステリシス ,  挙動