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J-GLOBAL ID：200902260164706269   整理番号：07A0376278

ナノジェットプローブ法におけるInナノドットのInAs結晶化過程

著者 (7件)： 大河内俊介 (産業技術総合研) ,  大河内俊介 (NEC 基礎・環境研) ,  杉本喜正 (産業技術総合研) ,  杉本喜正 (筑波大) ,  尾崎信彦 (筑波大) ,  石川浩 (産業技術総合研) ,  浅川潔 (筑波大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 1  ページ： 343  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...
準シソーラス用語： *ナノジェットプローブ法

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノドット ,  InAs ,  結晶化 ,  過程