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J-GLOBAL ID：200902260514098682   整理番号：09A0531508

高強度陽電子マイクロビームを用いた欠陥分布の迅速な三次元イメージング

Rapid three-dimensional imaging of defect distributions using a high-intensity positron microbeam

著者 (7件)： OSHIMA N. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  SUZUKI R. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  OHDAIRA T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  KINOMURA A. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  NARUMI T. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  UEDONO A. (Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN) ,  FUJINAMI M. (Dep. of Applied Chemistry, Chiba Univ., 1-33 Yayoi, Inage, Chiba 263-8552, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 19  ページ： 194104  発行年： 2009年05月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子加速器により発生させた強力な陽電子マイクロビームを開発し,試料中の三次元陽電子寿命の写像から欠陥分布の視覚的評価を可能にした。試料におけるビーム直径は80~100μmであった。陽電子寿命の測定に用いた陽電子消滅γ線の計数率は3×10³s^-1と高かった。メッシュマスクを通してイオンビームを照射したSiO₂試料の陽電子寿命の三次元イメージングを実証した。一枚の画像2.5×3.5mm²に対して3500画素)を得るための時間は0.5~1時間であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 陽電子 ,  *陽電子ビーム ,  寿命 ,  陽電子消滅 ,  *画像処理 ,  *欠陥 ,  *分布 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： 陽電子寿命 ,  *イメージング ,  *欠陥分布 ,  マイクロビーム

分類 (1件)： 陽電子消滅  (BK16052L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高強度 ,  陽電子マイクロビーム ,  欠陥 ,  分布 ,  三次元イメージング