文献

J-GLOBAL ID：200902260529241805   整理番号：09A1243593

直接ワイドバンドギャップCuScO₂エピタキシャル薄膜の励起子特性

Excitonic characteristics in direct wide-band-gap CuScO₂ epitaxial thin films

著者 (5件)： HIRAGA H. (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  MAKINO T. (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  FUKUMURA T. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  OHTOMO A. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN) ,  KAWASAKI M. (WPI Advanced Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 95  号： 21  ページ： 211908  発行年： 2009年11月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： デラフォサイト化合物CuScO₂の薄膜をスピネルMgAl₂O₄(111)基板上に成長させ,高結晶度及び(0001)配向したエピタキシャル構造を得た。20Kにおける吸収スペクトルは3.97eVに鋭い励起子共鳴を明らかにし,これは300Kまで持続した。20Kにおけるその直接遷移バンドギャップと励起子結合エネルギーは約4.35及び380meVで,両者ともZnOのものよりもかなり大きかった。自然の層状構造とp型ドーピングの可能性から見て,この化合物は励起子物理学やヘテロ構造素子の実現にとって興味深い。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  エピタクシー ,  P型半導体 ,  吸収スペクトル ,  *励起子 ,  結合エネルギー ,  バンドギャップ ,  素子構造 ,  *半導体薄膜 ,  酸化物 ,  銅化合物 ,  スカンジウム化合物 ,  ワイドバンドギャップ ,  ヘテロ構造 ,  *ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： *ワイドバンドギャップ半導体

分類 (1件)： 励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドバンドギャップ ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  励起子