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J-GLOBAL ID：200902261233020206   整理番号：08A0711111

22nmノードCMOSデバイスへ向けてのナノインプリントの応用の研究

Study of nanoimprint applications toward 22nm node CMOS devices

著者 (7件)： YONEDA Ikuo (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MIKAMI Shinji (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  OTA Takumi (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOSHIBA Takeshi (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ITO Masamitsu (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKASUGI Tetsuro (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  HIGASHIKI Tatsuhiko (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 6921  号： Pt.1  ページ： 692104.1-692104.8  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノインプリントリソグラフィー(S-FIL)は次世代リソグラフィーの候補の1つである。著者らは以前にプロセス研究とテストデバイス作製へのS-FILの応用について研究した結果,22nmHPのテンプレート分解能,多層レジストに関する重合せ精度,様々なパターンに対する欠陥密度の問題が判明した。そこで様々なテストデバイスに対してS-FILを拡張応用できるかを判断するためにS-FILの特性を研究した。その結果,テンプレート分解能の向上とアラインメントプロセスのロバスト性が確認された。しかし一方でスループット損失無しに欠陥密度を減らす必要性も明らかになった。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *半導体プロセス ,  *リソグラフィー ,  *パターン形成 ,  レジスト ,  重合せ ,  欠陥密度 ,  分解能 ,  アラインメント ,  ロバスト性 ,  スループット ,  表面粗さ
準シソーラス用語： 次世代リソグラフィー ,  *ナノインプリントリソグラフィー ,  *テンプレート【型】 ,  CD均一性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ノード ,  CMOS ,  ナノインプリント ,  応用 ,  研究