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J-GLOBAL ID：200902261444979259   整理番号：08A0420417

低動作温度で高いH₂感度を有する多孔質SnO₂スパッタ膜

Porous SnO₂ sputtered films with high H₂ sensitivity at low operation temperature

著者 (6件)： SHEN Yanbai (Fac. of Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN) ,  YAMAZAKI Toshinari (Fac. of Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN) ,  LIU Zhifu (Fac. of Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN) ,  JIN Chengji (Fac. of Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN) ,  KIKUTA Toshio (Fac. of Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN) ,  NAKATANI Noriyuki (Fac. of Engineering, Univ. of Toyama, 3190 Gofuku, Toyama 930-8555, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 516  号： 15  ページ： 5111-5117  発行年： 2008年06月02日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性マグネトロンスパッタリングを用いて種々の基板温度及び放電気体圧力で非ドープ及びPdドープSnO₂膜を蒸着した。結晶度,結晶粒度,膜密度のような膜の構造因子を系統的に調べた。本研究の主目的は膜のH₂感度の動作温度依存性及び感度決定における主要構造因子を明らかにすることであった。(R_a-R_g)/R_g(R_aとR_gはH₂への曝露前と後の電気抵抗率)で定義される感度が最大になる動作温度は膜密度低下と共に低下した。100°Cで最低密度3.1g/cm³を示すPdドープ膜に対する最高感度は4470であった。感度は結晶の大きさや結晶粒よりも膜密度に相関した。低温でのPdドープ多孔質膜の高感度をSchottky障壁制限輸送及びPdの化学的効果及び電気的効果に関連して論じた。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 多孔質体 ,  *酸化スズ ,  *マグネトロンスパッタリング ,  基板温度 ,  ドーピング ,  結晶度 ,  結晶粒度 ,  密度 ,  温度依存性 ,  感度 ,  Schottky障壁 ,  水素 ,  *ガスセンサ ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 膜密度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 動作温度 ,  H2 ,  感度 ,  多孔質 ,  スパッタ膜