研究者
J-GLOBAL ID:200901002228327000
更新日: 2022年09月12日
山崎 登志成
ヤマザキ トシナリ | Yamazaki Toshinari
所属機関・部署:
富山大学 工学部 電気電子システム工学科
富山大学 工学部 電気電子システム工学科 について
「富山大学 工学部 電気電子システム工学科」ですべてを検索
機関情報を見る
職名:
助教授
研究分野 (3件):
構造材料、機能材料
, 電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (6件):
強誘電体薄膜の構造と物性
酸化物半導体薄膜および微粒子の作製とガスセンサ-への応用
スパッタ膜の堆積技術に関する研究
Structure and physical properties of ferroelectric thin film
Formation of thin film and fine particle of oxide semiconductor and their application to gas sensor
Study on deposition technique for sputtered film
全件表示
MISC (37件):
SbNbO4強誘電体薄膜の光学的性質に及ぼすガンマ線照射と熱処理効果. Radiation Effects and Defects in Solids. 2001. 154, 165-178
金属マスクの熱変形対策としてのスリット構造. Japanese Journal of Applied Physics. 2001. 40, 7170-7173
NiTiスパッタ膜の組成分布のアルゴンガス圧力依存性. Jpnanese Journal of Applied Physics. 2001. 40,6936-6940
スパッタ膜のパターン形成用金属マスクの有限要素法熱変形解析. シミュレーション. 2001. 20. 71-77
Preparation of Ferroelectric Glycine Phosphite Sinle Crystals. Jpn. J. Appl. Phys. 2000. 39. 12A. 6612-6613
もっと見る
Works (1件):
Crystal
学歴 (4件):
- 1980 名古屋大学 工学研究科 応用物理学専攻
- 1980 名古屋大学
- 1975 名古屋大学 工学部 応用物理学科
- 1975 名古屋大学
学位 (1件):
工学博士 (名古屋大学)
受賞 (1件):
2000 - 高温学会論文賞
所属学会 (4件):
真空協会
, 金属学会
, 電気学会
, 応用物理学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM