分子ビームエピタクシーにより堆積した成長のままのMgB<sub>2</sub>薄膜における磁場下での高臨界電流密度

HARUTA M; FUJIYOSHI T; KIHARA S; SUEYOSHI T; MIYAHARA K; HARADA Y; YOSHIZAWA M; TAKAHASHI T; IRIUDA H; OBA T; AWAJI S; WATANABE K; MIYAGAWA R

文献

J-GLOBAL ID：200902262123456838 整理番号：07A0119899

分子ビームエピタクシーにより堆積した成長のままのMgB₂薄膜における磁場下での高臨界電流密度

High critical current density under magnetic fields in as-grown MgB₂ thin films deposited by molecular-beam epitaxy

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資料名：
巻： 20 号： 1 ページ： L1-L4 発行年： 2007年01月
JST資料番号： T0607A ISSN： 0953-2048 CODEN： SUSTEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

低温,低速及び高真空の条件下でMgO(100)及びTiバッフ...

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金属系超伝導体の物性 , 金属薄膜

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分子ビームエピタクシーにより堆積した成長のままのMgB2薄膜における磁場下での高臨界電流密度

分子ビームエピタクシーにより堆積した成長のままのMgB₂薄膜における磁場下での高臨界電流密度