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J-GLOBAL ID：200902262223454891   整理番号：06A0330944

TiO₂/TiNナノ結晶薄膜の高速抵抗スイッチング

High-Speed Resistive Switching of TiO₂/TiN Nano-Crystalline Thin Film

著者 (5件)： FUJIMOTO Masayuki (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  KOYAMA Hiroshi (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  HOSOI Yasunari (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  ISHIHARA Kazuya (Sharp Corp., Nara, JPN) ,  KOBAYASHI Shinji (Sharp Corp., Nara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 8-11  ページ： L310-L312  発行年： 2006年03月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 白金電極間に挟まれたTiO₂/TiNナ...

シソーラス用語： チタン化合物 ,...
準シソーラス用語： フィラメントパス

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

引用文献 (13件)：

• LIU, Q. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2749
• ZHUANG, W. W. Int. Electron Devices Meet., Tech. Dig., 2002. 2002, 193
• OVSHINSKY, S. R. Phys. Rev. Lett. 1968, 21, 1450
• BAEK, I. G. Int. Electron Devices Meet., Tech. Dig., 2004. 2004, 587
• SEO, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5655

タイトルに関連する用語 (4件)： TiO2 ,  TiN ,  ナノ結晶薄膜 ,  抵抗スイッチング