文献

J-GLOBAL ID：200902262524552279   整理番号：05A0991930

昇華法によるさまざまなSiC基板上へのAlN結晶成長

Growth of AlN crystal on various SiC substrates by sublimation method

著者 (10件)： 土屋法隆 (名城大 理工) ,  BALAKRISHNAN K. (名城大 理工) ,  岩谷素顕 (名城大 理工) ,  上山智 (名城大 理工) ,  天野浩 (名城大 理工) ,  赤崎勇 (名城大 理工) ,  下野健二 (イビデン) ,  野呂匡志 (イビデン) ,  高木俊 (イビデン) ,  古庄智明 (シクスオン)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 105  号： 326(ED2005 139-156)  ページ： 29-34  発行年： 2005年10月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 紫外発光デバイス用,高周波・高出力電子デバイス用基板としてA...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： 禁止帯 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0991930&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 昇華 ,  SiC基板 ,  AlN ,  結晶成長