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J-GLOBAL ID：200902262785375110   整理番号：04A0369865

130°C以下の温度でフレキシブルプラスチック基板上に作製した高移動度ポリ-Ge薄膜トランジスタ

High Mobility Poly-Ge Thin-Film Transistors Fabricated on Flexible Plastic Substrates at Temperatures below 130°C

著者 (5件)： SHAHRJERDI D (Univ. Tehran, Tehran, IRN) ,  HEKMATSHOAR B (Univ. Tehran, Tehran, IRN) ,  MOHAJERZADEH S S (Univ. Tehran, Tehran, IRN) ,  KHAKIFIROOZ A (Massachusetts Inst. Technol., MA) ,  ROBERTSON M (Acadia Univ., Nova Scotia, CAN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 33  号： 4  ページ： 353-357  発行年： 2004年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい応力支援結晶化方法を利用して,110cm<sup>2<...

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： プラスチック基板 ,  作製 ,  高移動度 ,  Ge ,  薄膜トランジスタ