文献

J-GLOBAL ID：200902262821535677   整理番号：06A1031039

P型GaNゲート接触した強調モードAl_xGa_1-xN/GaN接合ヘテロ構造電界効果トランジスタの高いオン/オフ比

High On/Off Ratio in Enhancement-Mode Al_xGa_1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact

著者 (6件)： FUJII Takahiro (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  TSUYUKUCHI Norio (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IWAYA Motoaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI Isamu (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 45  号： 37-41  ページ： L1048-L1050  発行年： 2006年10月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-GaN/u-Al_xGa<sub>1...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (13件)：

• KHAN, M. A. Appl. Phys. Lett. 1992, 60, 3027
• MOHAMMAD, S. N. Proc. IEEE. 1995, 83, 1306
• SHEPPARD, S. T. IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 293
• AKATAS, O. IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 293
• KELLER, S. IEEE Trans. Electron Devices. 2001, 48, 552

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  ゲート ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ