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J-GLOBAL ID:200902263818930979   整理番号:08A0360130

カチオン空孔による酸化物イオン伝導を示すZn2TiO4の欠陥構造

Defect structure of Ta- and Al- doped Zn2TiO4 showing oxide ion conduction via cation vacancy
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巻: 116  号: 1352  ページ: 525-529 (J-STAGE)  発行年: 2008年 
JST資料番号: F0382A  ISSN: 1882-0743  CODEN: JCSJEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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Zn2-x/2Ti1-xO4の欠陥構造及び引き続く酸化物イオン伝導を調べるため,Ta5+と等モルのAl3+をZn2TiO4中のTi4+イオンと部分的に置換し,タンタル置換にもかかわらず顕著なカチオン空孔がないZn2Ti1-2xTaxAlxO4が形成した。逆スピネル型固溶体は約x=0.3まで形成し,測定した粉末の密度は全てのカチオンサイトがほとんど占有されるとした公称モデルと一致した。二重のxで置換したZn2-x/2Ti1-xO4では酸化物イオン伝導の僅かな現象が観察されたが,Zn2Ti1-2xTaxAlxO4では明らかに増加し,Zn2TiO4系における酸化物イオン伝導ではカチオン空孔が原因であることが示唆された。粉末中性子回折で欠陥構造を明らかにし,それから,酸化物イオン伝導濃度メカニズムに関して酸化物イオンの推測した等方性温度係数により検討した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  混合伝導 
タイトルに関連する用語 (5件):
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