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J-GLOBAL ID：200902264124049015   整理番号：07A0383846

Ga₂O₃とGeO₂の同時炭素熱還元窒化による高輝度GeドープGaN結晶粉末の作製とその評価

著者 (6件)： 三浦章 (北大 大学院) ,  三浦洋子 (北大 大学院) ,  嶋田志郎 (北大 大学院) ,  関口隆史 (NIMS) ,  横山政昭 (Horiba, Ltd.) ,  溝淵文章 (住友精化)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1549  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (12件)： Ga2O3 ,  GeO2 ,  炭素熱還元 ,  窒化 ,  高輝度 ,  Ge ,  ドープ ,  GaN ,  結晶 ,  粉末 ,  作製 ,  評価