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J-GLOBAL ID：200902264424110433   整理番号：03A0300731

MOVPE-GaN上にNaフラックスを用いて成長したGaNの微細構造・光学特性評価

著者 (9件)： 井村将隆 (名城大 理工 HRC) ,  佐野智昭 (名城大 理工 HRC) ,  新田州吾 (名城大 理工 HRC) ,  上山智 (名城大 理工 HRC) ,  天野浩 (名城大 理工 HRC) ,  赤崎勇 (名城大 理工 HRC) ,  岩橋友也 (大阪大 大学院) ,  森下昌紀 (大阪大 大学院) ,  佐々木孝友 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th  号： 1  ページ： 406  発行年： 2003年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOVPE ,  GaN ,  Na ,  フラックス ,  成長 ,  微細構造 ,  光学特性評価