誘電体膜によるGaN及びGaN/AlGaNヘテロ構造の表面不動態化とその絶縁ゲートヘテロ構造トランジスタへの適用

HASHIZUME T; OOTOMO S; INAGAKI T; HASEGAWA H

文献

J-GLOBAL ID：200902264664592311 整理番号：03A0612153

誘電体膜によるGaN及びGaN/AlGaNヘテロ構造の表面不動態化とその絶縁ゲートヘテロ構造トランジスタへの適用

Surface passivation of GaN and GaN/AlGaN heterostructures by dielectric films and its application to insulated-gate heterostructure transistors

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巻： 21 号： 4 ページ： 1828-1838 発行年： 2003年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaN及びGaN/AlGaNヘテロ構造表面の化学及び電子特性...

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トランジスタ , 酸化物薄膜

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