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J-GLOBAL ID：200902264945249772 整理番号：07A1216146

ドライエッチングに露出した表面を有するGaN層のSAW特性

SAW characteristics of GaN layers with surfaces exposed by dry etching

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資料名：
巻： 2 号： 19 ページ： 501-505 (J-STAGE) 発行年： 2005年
JST資料番号： U0039A ISSN： 1349-2543 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

電子デバイスとGaN上の弾性表面波(SAW)デバイスのモノリ...

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弾性表面波デバイス

引用文献 (7件)：

[1] K. Shiojima, T. Makimura, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, H. Ishikawa, and T. Egawa, “High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates, ” Electron. Lett., vol. 40, no. 12, pp. 775-776, June 2004.
[2] T. Kikkawa, T. Maniwa, H. Hayashi, M. Kanamura, S. Yokokawa, M. Nishi, N. Adachi, M. Yokoyama, Y. Tateno, and K. Joshin, “An Over 200-W Output Power GaN HEMT Push-Pull Amplifier with High Reliability, ” 2004 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., pp. 1347-1350, IEEE, Piscataway, NJ, USA, 2004.
[3] O. Ambacher, “Growth and applications of group III-nitrides, ” J. Phys, D: Appl. Phys., vol. 31, pp. 2653-2710, 1998.
[4] K. H. Choi, H. J. Kim, S. J. Chung, J. Y. Kim, T. K. Lee, and Y. J. Kim, “Experimental and theoretical characterization of the surface acoustic wave propagation properties of GaN epitaxial layers on c-plane sapphire, ” J. Mater. Res., vol. 18, no. 5, pp. 1157-1161, May 2003.
[5] K. Nishimura, N. Shigekawa, H. Yokoyama, and K. Hohkawa, “Temperature Dependence of Surface Acoustic Wave Characteristics of GaN Layers on Sapphire Substrates, ” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 44, no. 18, pp. L564-L565, April 2005.

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