高密度プラズマによるポリシリコンゲートエッチング中のプラズマ酸化によるシリコンリセスの低減

VITALE S A; SMITH B A

文献

J-GLOBAL ID：200902265167425475 整理番号：03A0762871

高密度プラズマによるポリシリコンゲートエッチング中のプラズマ酸化によるシリコンリセスの低減

Reduction of silicon recess caused by plasma oxidation during high-density plasma polysilicon gate etching

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巻： 21 号： 5 ページ： 2205-2211 発行年： 2003年09月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

通常のCMOSトランジスタのゲートエッチ中の活性領域からのシ...

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固体デバイス製造技術一般 , プラズマ応用

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