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J-GLOBAL ID：200902265326323123   整理番号：08A0557647

GaAsベースのショットキーラップゲート量子細線トランジスタにおけるスイッチング特性に対するサイズ減少効果

Effect of Size Reduction on Switching Characteristics in GaAs-Based Schottky-Wrap-Gate Quantum Wire Transistors

著者 (3件)： SHIRATORI Yuta (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI Seiya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  KASAI Seiya (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 4 Issue 2  ページ： 3086-3090  発行年： 2008年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチング特性に対するサイズ減少効果を,ショットキーラップゲート(WPG)によって制御した蝕刻AlGaAs/GaAsナノワイアーを用いたGaAsベースの量子線トランジスタ(QWRT)の低スイッチング電力動作に対して実験的に検討した。線幅W,ゲート長L_Gを系統的に変化させてWPG-QWRTを作製し,動作温度,スイッチング電圧ΔV_G,ゲート電圧のフェルミエネルギースケーリング因子α,および電力遅延積PDPに対する依存性を評価した。Wが200nm以下の場合,作成したデバイスの80%以上が30Kにおいて量子化コンダクタンスを示した。W=40nmのデバイスでは0.7という大きいαが得られた。L_Gをサブ100nm領域に減少させることは,短チャンネル効果がWPG構造の強いポテンシャル制御によって抑制されるため電力消費改善に有効である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子細線 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電気抵抗 ,  量子化 ,  スイッチング ,  *電力消費 ,  Schottky障壁

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• S. Amakawa, H. Mizuta, and K. Nakazato: J. Appl. Phys.89(2001)5001.
• S. Kasai and H. Hasegawa: IEEE Electron Device Lett.23(2002)446.
• H. Hasegawa and S. Kasai: Physica E 11(2001)149.
• S. Kasai, K. Jinushi, T. Tomozawa, and H. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys.36(1997)1678.
• S. Kasai, M. Yumoto, T. Sato, and H. Hasegawa: Electrochem. Soc. Proc.2004-13(2004)125.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  量子細線 ,  トランジスタ ,  スイッチング特性 ,  サイズ