原子窒素ラジカルによるGe金属-絶縁体-半導体構造用の純粋な窒化ゲルマニウムの形成

文献

J-GLOBAL ID：200902266095163817 整理番号：06A0555163

Pure germanium nitride formation by atomic nitrogen radicals for application to Ge metal-insulator-semiconductor structures

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