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J-GLOBAL ID：200902266183822138   整理番号：07A0666492

Si基板上での原子層劣化の制御

Control of atomic layer degradation on Si substrate
著者 (9件)：
NAKAMURA Y.

NAKAMURA Y. について

(LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN)

LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN について

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TATSUMI T.

TATSUMI T. について

(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)

Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN について

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KOBAYASHI S.

KOBAYASHI S. について

(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)

Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN について

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KUGIMIYA K.

KUGIMIYA K. について

(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)

Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN について

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HARANO T.

HARANO T. について

(LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN)

LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN について

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ANDO A.

ANDO A. について

(Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN)

Semiconductor Technol. Dev. Div., Sony Corp., 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, JPN について

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KAWASE T.

KAWASE T. について

(Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita ...)

Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita ... について

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HAMAGUCHI S.

HAMAGUCHI S. について

(Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita ...)

Center for Atomic and Molecular Technologies, Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita ... について

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ISEDA S.

ISEDA S. について

(LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN)

LSI Production Div. 1, Sony Semiconductor Kyushu Corp., 1883-43 Tsukuba-machi, Isahaya-shi, Nagasaki 854-0065, JPN について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)

Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films について


巻： 25  号： 4  ページ： 1062  発行年： 2007年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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32nmノード素子を開発するためには,Si基板表面上の原子層...
シソーラス用語：
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*ケイ素

ケイ素 について

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準シソーラス用語：
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*フルオロカーボン

フルオロカーボン について


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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

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(BJ02110K)

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タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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Si基板

Si基板 について

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原子層

原子層 について


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