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J-GLOBAL ID：200902266529923912   整理番号：04A0098223

多層マイクロエレクトロメカニカルシステムカンチレバー素子における残留膜応力変形の軽減対策

Mitigation of residual film stress deformation in multilayer microelectromechanical systems cantilever devices

著者 (6件)： PULSKAMP J S (U.S. Army Res. Lab., Maryland) ,  WICKENDEN A (U.S. Army Res. Lab., Maryland) ,  POLCAWICH R (U.S. Army Res. Lab., Maryland) ,  PIEKARSKI B (U.S. Army Res. Lab., Maryland) ,  DUBEY M (U.S. Army Res. Lab., Maryland) ,  SMITH G (Naval Surface Warfare Center, Maryland)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 21  号： 6  ページ： 2482-2486  発行年： 2003年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多層マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)素子の,...

シソーラス用語： *多層膜 ,...
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 多層 ,  残留 ,  膜応力 ,  対策