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J-GLOBAL ID：200902267253982045   整理番号：07A0727990

脱イオン水中で電圧を印加し光で強化した電気化学的酸化によるGaN表面の損傷の少ないエッチング

Low Damage Etching of GaN Surfaces via Bias-Assisted Photoenhanced Electrochemical Oxidation in Deionized Water

著者 (4件)： ALPTEKIN Emre (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  YU Hongbo (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  OZBAY Ekmel (Bilkent Univ., Ankara, TUR) ,  AKTAS Ozgur (Bilkent Univ., Ankara, TUR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 36  号： 6  ページ： 629-633  発行年： 2007年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN表面の損傷の少ないエッチングにはPEC法があり高電子移...

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： *GaN ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 脱イオン水 ,  印加 ,  強化 ,  化学的酸化 ,  GaN ,  損傷 ,  エッチング