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J-GLOBAL ID：200902267991924009   整理番号：07A1096406

液相線移動ゾーン成長法で作ったInGaAs三成分基板上の高特性温度1.3μmバンドレーザ

High-Characteristic-Temperature 1.3-μm-Band Laser on an InGaAs Ternary Substrate Grown by the Traveling Liquidus-Zone Method.

著者 (6件)： ARAI Masakazu (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  WATANABE Takao (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YUDA Masahiro (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KINOSHITA Kyoichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN) ,  YODA Shinichi (Japan Aerospace Exploration Agency, Ibaraki, JPN) ,  KONDO Yasuhiro (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 13  号： 5,Pt.1  ページ： 1295-1301  発行年： 2007年09月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光通信波長1.3μm付近で動作する量子井戸レーザは,通常In...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： *MQWレーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 液相線 ,  ゾーン ,  成長 ,  InGaAs ,  バンド ,  レーザ