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J-GLOBAL ID：200902268504104804   整理番号：08A0565295

パルスレーザ蒸着により調製した,太陽電池吸収体に使うH₂S中でアニールしたCu₂ZnSnS₄薄膜

Cu₂ZnSnS₄ Thin Films Annealed in H₂S Atmosphere for Solar Cell Absorber Prepared by Pulsed Laser Deposition

著者 (3件)： MORIYA Katsuhiko (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  TANAKA Kunihiko (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  UCHIKI Hisao (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 1 Issue 2  ページ： 602-604  発行年： 2008年01月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSnS₄(CZTS)前駆体をパルスレーザ蒸着により,エネルギー密度を制御して,Cu-Sn-S化合物の粒子が生じないようにして調製した。0.7J/cm²のエネルギー位相で調製した前駆体は平坦で,1.5J/cm²のエネルギー密度で調製した前駆体より良好な質であった。前駆体はN₂+H₂S(5%)雰囲気中でアニールした。アニーリングの結果,硫黄組成比の低下が抑制され,膜はほぼ化学量論に近くなった。薄膜のX線回折図形におけるピークのいくつかはCZTSの(112),(220),(312)および(200)面に帰属した。500°Cでアニールした膜の直接型バンドギャップエネルギーは約1.5eVで,これは太陽電池吸収体の最適値に極めて近い。そのためこれは太陽電池に使われている。活性面積が0.12cm²のCZTS太陽電池は,開路電圧が336mV,短絡電流が6.53mA/cm²,フィルファクタが0.46,そして転換効率が0.64%であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 撮像特性 ,  *太陽電池 ,  光吸収 ,  硫化水素 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  硫化物 ,  *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ ,  蒸着膜 ,  窒素 ,  化学組成 ,  化学量論 ,  X線回折 ,  バンドギャップ ,  電圧 ,  短絡電流 ,  光吸収スペクトル ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： フィルファクタ ,  開路電圧

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (7件)：

• K. Ito and T. Nakazawa: Jpn. J. Appl. Phys.27(1988)2094.
• Th. M. Friedlmeier, N. Wieser, Th. Walter, H. Dittrich, and H.-W. Shock: Proc.14th European PVSEC, 1997, P4B.10.
• J. S. Seol, S. Y. Lee, J. C. Lee, H. D. Nam, and K. H. Kim: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 75(2003)155.
• H. Katagiri: Thin Solid Films 480-481(2005)426.
• K. Jimbo, R. Kimura, T. Kamimura, S. Yamada, W. S. Maw, H. Araki, K. Oishi, and H. Katagiri: Thin Solid Films 515(2007)5997.

タイトルに関連する用語 (8件)： パルスレーザ蒸着 ,  調製 ,  太陽電池 ,  吸収体 ,  H2S ,  アニール ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜