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J-GLOBAL ID：200902268617852777   整理番号：08A0372847

H/Si(100)表面からの300K流出D₂ビームの散乱

Scattering of 300K effusive D₂ beams from the H/Si(100) surface

著者 (5件)： UENO S. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NARITA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  KHAN A.r. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  KIHARA Y. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN) ,  NAMIKI A. (Dep. of Electrical Engineering, Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu 804-8550, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 602  号： 8  ページ： 1585-1588  発行年： 2008年04月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： H/Si(100)表面からの300K流出D₂ビームの散乱を散乱分子の角度分布および速度分布に関する動力学実験において検討した。結果をほぼ直接非弾性散乱(DIS)によって支配されるHe散乱の結果と比較した。D₂分子の角度分布はほぼ余弦性であったが顕著なDISの寄与を含んでいた。これはD₂-Si表面相互作用ポテンシャルのくし型形状によって説明される可能性があった。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *水素化 ,  *ケイ素 ,  *気固界面 ,  *重水素 ,  *流出 ,  *分子ビーム ,  *散乱 ,  角分布 ,  速度分布
準シソーラス用語： 角度分布

分類 (2件)： 固-気界面一般  (CB12041H) ,  非金属化合物  (CD01070R)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  流出 ,  ビーム ,  散乱