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J-GLOBAL ID：200902269433090692   整理番号：09A0043478

連続イオン層吸着及び反応(SILAR)法によるSnS薄膜の作製

Fabrication of SnS thin films by the successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method

著者 (4件)： GHOSH Biswajit (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  DAS Madhumita (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  BANERJEE Pushan (Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  DAS Subrata (Jadavpur Univ., Kolkata, IND)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 23  号： 12  ページ： 125013,1-6  発行年： 2008年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnSO₄溶液に基板を浸漬し,脱イオン水でリンス後Na₂S溶液に浸漬し,前吸着したSn²⁺と新たに吸着したS²⁺とを反応させる,いわゆる連続イオン層吸着及び反応(SILAR)法によってガラス基板及びITO被覆ガラス基板上に0.20μm厚みの多結晶SnS薄膜を作製した。XRDにより主相としてのSnSの存在を確認し,XRDスペクトルのFWHMから残留歪と結晶粒サイズを評価した。SEMにより基板表面に分布するナノサイズの球形粒子を観察した。紫外可視吸収スペクトルから光学ギャップ1.43eVを得た。550nm励起による光ルミネセンスでは近バンド端発光(1.50eV)とより高いエネルギーの深い準位発光が観察された。

シソーラス用語： *浸漬塗装 ,  吸着 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  酸化インジウムスズ ,  多結晶 ,  X線回折 ,  残留歪 ,  *ナノ結晶 ,  *光学ギャップ ,  紫外可視吸収スペクトル ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  深い準位
準シソーラス用語： *SILAR法 ,  ガラス基板 ,  *硫化スズ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  吸着 ,  法 ,  SNS ,  薄膜 ,  作製