多孔質のSiCとGaNの基板の上のGaNの成長

INOKI C K; KUAN T S; LEE C D; SAGAR A; FEENSTRA R M; KOLESKE D D; DIAZ D J; BOHN P W; ADESIDA I

文献

J-GLOBAL ID：200902269642516591 整理番号：03A0564061

多孔質のSiCとGaNの基板の上のGaNの成長

Growth of GaN on Porous SiC and GaN Substrates

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著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 32 号： 8 ページ： 855-860 発行年： 2003年08月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

プラズマ支援分子ビームエピタクシーとMOCVDを採用した,標...

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半導体薄膜

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