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J-GLOBAL ID：200902269794449482   整理番号：06A0096984

サファイアr-面基板に成長したa-面GaNにおけるp型伝導の制御

Control of p-Type Conduction in a-Plane GaN Grown on Sapphire r-Plane Substrate

著者 (9件)： TSUCHIYA Yosuke (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  OKADOME Yoshizane (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  HONSHIO Akira (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  MIYAKE Yasuto (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAWASHIMA Takeshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  IWAYA Motoaki (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  KAMIYAMA Satoshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO Hiroshi (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI Isamu (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 50-52  ページ： L1516-L1518  発行年： 2005年12月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mgドープのp型a面GaN膜を,有機気相エピタクシー(MOV...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： MOVPE ,...

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分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (10件)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 2) H. Amano and I. Akasaki: Mater. Res. Soc. Ext. Abstr. EA-21 (1991) 165.
• 3) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 4) H. Amano, M. Kitoh, K. Hiramatsu and I. Akasaki: J. Electrochem. Soc. 137 (1990) 1639.
• 5) T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L382.

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア ,  成長 ,  GaN ,  P型伝導