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J-GLOBAL ID：200902270383952971   整理番号：06A0195695

Si/SiGeヘテロ構造における歪のRaman研究 Siバンド歪シフト係数の正確な測定

Raman investigation of strain in Si/SiGe heterostructures: Precise determination of the strain-shift coefficient of Si bands

著者 (4件)： NAKASHIMA S. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Central 2 1-1-1, Umezono, Tsukuba 305-8568, JPN) ,  MITANI T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Central 2 1-1-1, Umezono, Tsukuba 305-8568, JPN) ,  NINOMIYA M. (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., 314 Nishisangao, Noda-shi Chiba 278-0015, JPN) ,  MATSUMOTO K. (Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp., 314 Nishisangao, Noda-shi Chiba 278-0015, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 99  号： 5  ページ： 053512-053512-6  発行年： 2006年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si/SiGeヘテロ構造のRaman散乱実験を行なった。上面...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...
準シソーラス用語： 歪シフト係数

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分類 (2件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  SiGe ,  ヘテロ構造 ,  歪 ,  研究 ,  バンド ,  シフト ,  係数