Si基板上の3C-SiC中の逆位相ドメインの消滅機構

ISHIDA Y; TAKAHASHI T; OKUMURA H; YOSHIDA S

文献

J-GLOBAL ID：200902270508974328 整理番号：03A0698015

Si基板上の3C-SiC中の逆位相ドメインの消滅機構

Investigation of antiphase domain annihilation mechanism in 3C-SiC on Si substrates

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資料名：
巻： 94 号： 7 ページ： 4676-4689 発行年： 2003年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記逆位相ドメイン(APD)の消滅を説明するモデルを提案した...

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半導体の格子欠陥 , 半導体薄膜

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