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J-GLOBAL ID：200902270979983122   整理番号：04A0726877

p-GaN中のSi拡散

Si diffusion in p-GaN

著者 (5件)： PAN C J (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHI G C (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  PONG B J (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  SHEU J K (National Central Univ., Taoyuan, TWN) ,  CHEN J Y (National Central Univ., Taoyuan, TWN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 22  号： 4  ページ： 1727-1730  発行年： 2004年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siを拡散させたp型MgドープGaN膜の特性を研究した。Si...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  Si ,  拡散