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J-GLOBAL ID：200902271102102008   整理番号：03A0062811

熱酸化n-GaN金属-酸化物-半導体キャパシタの界面特性

Interface properties of thermally oxidized n-GaN metal-oxide-semiconductor capacitors.

著者 (2件)： NAKANO Y (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 2  ページ： 218-220  発行年： 2003年01月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN熱酸化膜を用いた金属-酸化物-半導体(MOS)キャパシ...

シソーラス用語： 熱酸化 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱酸化 ,  GaN ,  酸化物 ,  キャパシタ ,  界面特性