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J-GLOBAL ID：200902271209474510   整理番号：04A0806219

ハイパワー電子素子用のシリコンカーバイドの成長制御における技術的ブレークスルー

Technological Breakthroughs in Growth Control of Silicon Carbide for High Power Electronic Devices

著者 (1件)： MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 10  ページ： 6835-6847  発行年： 2004年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCの成長を制御する上での技術的ブレークスルーを解説した。...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (106件)：

• 1) Yu. M. Tairov and V. F. Tsvetkov: J. Cryst. Growth 43 (1978) 209.
• 2) N. Kuroda, K. Shibahara, W. S. Yoo, S. Nishino and H. Matsunami: Ext. Abstr. 34th Spring Meeting of Japan Society Applied Physics and Related Societies, Tokyo, 1987, p. 135 [in Japanese].
• 3) N. Kuroda, K. Shibahara, W. S. Yoo, S. Nishino and H. Matsunami: Ext. Abstr. 19th Conf. on Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1987, p. 227.
• 4) A. R. Verma and P. Krishna: <I>Polymorphysm and Polytypism in Crystals</I> (John Wiley & Sons, New York, 1966).
• 5) V. J. Jennings, A. Sommer and H. Chang: J. Electrochem. Soc. 113 (1966) 728.

タイトルに関連する用語 (5件)： ハイパワー ,  電子素子 ,  シリコンカーバイド ,  成長制御 ,  ブレークスルー