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J-GLOBAL ID：200902271241070749   整理番号：05A0599738

低温反応性スパッタリングにより成長させた窒化アルミニウム薄膜の微視的研究

Microscopic investigations of aluminum nitride thin films grown by low-temperature reactive sputtering

著者 (5件)： GUO Q.x. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN) ,  YOSHITUGU M. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN) ,  TANAKA T. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN) ,  NISHIO M. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN) ,  OGAWA H. (Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Fac. of Sci. and Engineering, Saga Univ., Saga 840-8502, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 483  号： 1-2  ページ： 16-20  発行年： 2005年07月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純アルミニウムターゲットを用い,窒素とアルゴンの混合プラズマ...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  反応性スパッタリング ,  成長 ,  窒化アルミニウム ,  薄膜 ,  研究